澳大利亚国立大学，墨尔本大学的一组研究人员称，基于掺杂的多晶硅/硅氧化物结的钝化接触将很快应用于晶体硅(c-Si)太阳能电池组件的批量生产。以及中国模块制造商GCL System Integration Technology和JinkoSolar，
这些结通常称为多晶硅结，它们是通过在c-Si晶片和高掺杂多晶硅层之间放置一层薄的氧化硅(SiO2)绝缘层而形成的，已经在工厂进行了测试。研究合著者Di Yan对pv杂志说：“该工艺自2018年以来已应用于商业生产。”
科学家们指出，主要制造商，例如阿特斯太阳能，乔利伍德，SunPower，天合光能和英利以及Jinko和GCL本身，最近都在这项技术上开展了研发活动。他们说：“在三大制造商中，有两家已经建立了中试线，可生产具有多晶硅结的大面积电池，效率高于24.5%。”并补充说，国际光伏技术路线图(ITRPV)预测使用到2030年，这些接合点可实现35%的市场份额，p型和n型衬底的电池效率分别为24%和24.5%。
多晶Si结目前由制造结合任一掺杂的多晶硅层和超薄的SiOX层，或混合固有和掺杂的氢化非晶硅(一个-Si：H)，以及它们在现有的生产线的集成可以是根据研究人员的说法，很容易实现。他们进一步解释说：“早期试验，特别是对n型TOPCon架构的试验表明，[a]快速，不到五年的技术转让时间，很大程度上是因为其与现有生产工具和专业知识的兼容性。”
然而，为了在商业生产水平上实施，仍必须克服几个技术和经济障碍，包括由于电池的金属化工艺，该技术可能对多晶硅层产生的损害。“THESE挑战是对于当前的主要原因，高18%的制造成本与PERC相比多晶硅结电池”，他们指出。“鉴于开发的早期阶段，由于PERC生产的头几年中PERC成本的迅速下降，预计利润率将下降。”
Yan在给pv magazine的声明中解释说，但是，这种成本差距可以通过具有多晶硅结的PV模块来弥补，该PV模块的转换效率至少比传统PERC模块高0.4%。
研究中描述了用于生产多晶硅结的所有技术和制造工艺。多晶硅钝化结：硅太阳能电池的下一项技术?发表在焦耳。“本文是有关硅太阳能电池的多晶硅钝化结技术的观点文章，而不是包括有关该主题的任何新研究内容，”严说。
