今天，分享一篇成电创业者丨专注碳化硅功率器件设计开发，蓉矽半导体助力“双碳”进程，希望以下成电创业者丨专注碳化硅功率器件设计开发，蓉矽半导体助力“双碳”进程的内容对您有用。
天虎科技联合电子科技大学创投联盟开设《成电创业者》栏目，长期聚焦致力于发展硬核科技、创新商业模式、力争市场上游的电子科技大学校友们，从中发掘优秀的创业者。
碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，具有较宽的禁带宽度、高击穿电场强度、高热传导率和高电子饱和速率的优异物理性能，使得SiC功率半导体器件具备耐高压、耐高温、开关速度快、损耗低等显著优势，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域表现亮眼，国产化空间十分广阔。
本期，《成电创业者》走进四川首家专注碳化硅(SiC)功率器件设计与开发的高新技术企业——成都蓉矽半导体有限公司（下称“蓉矽半导体”），对话蓉矽半导体研发副总经理高巍博士。
离日归国
他在电子科技大学瞄准产业前沿
2007年，高巍在日本埼玉大学获得工学博士学位后，加入日本NEC电子株式会社与日本瑞萨电子株式会社，从事车规级低压功率MOSFET、高压功率IGBT器件的设计与开发工作。
2013年，高巍博士综合考虑个人发展和家庭因素，决心回到中国。他回国后的第一选择便是电子科技大学，因为在这里有“全球功率半导体领域最大的学术研究团队”，加入这一团队是他的最大愿望。9月，高巍博士通过学校考核，正式进入电子科技大学微电子与固体学院任教。
任教期间，高巍博士发现，高校课堂中存在理论与实践脱节的问题，于是，他凭借自身多年的工程经验，并结合教学、科研经验，开设了面向硕士研究生的《半导体可靠性工程》、《半导体封装测试与可靠性》和面向本科生的《集成电路项目管理》课程，切实帮助学生提高对产业的理解、增强理论联系实际的能力。
此外，高巍博士还帮助团队打造了电子薄膜与集成器件国家实验室下属的功率半导体测试平台、可靠性考核平台与失效分析平台，为学院与团队老师提供了一个完整验证分析科研成果的环境。这成为他在电子科技大学任教期间最具成就感的两项工作。
加入蓉矽半导体
SiC功率器件成功量产
2019年12月，高巍博士与其他两位创始人共同建立了蓉矽半导体，担任副总经理，专注产品研发。值得注意的是，这是四川省首家致力于禁带半导体碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业。
仅一年后的2020年11月，蓉矽半导体就成功开发出SiC二极管，1200V/20A EJBS™首次工程流片即达97%良率；2021年5月，蓉矽半导体的SiC MOSFET(G1)开发成功，1200V/75mΩ SiC MOSFET 首次工程流片即达91.2%良率。高巍博士回忆道，“从设计到流片的一次成功，在半导体行业是非常高的荣誉，当时的兴奋与成就感是无以言表的。”
根据不同的应用场景，蓉矽半导体先后推出了高性价比的NovuSiC®系列产品和高可靠性的DuraSiC®系列产品。2022年6月，蓉矽半导体发布NovuSiC® EJBS™和理想硅基MCR®二极管系列；并在9月推出碳化硅NovuSiC® MOSFET G1，性能更加优越的碳化硅MOSFET G2也在研发中，预计将于明年第四季度进行量产。
高巍博士表示，蓉矽半导体对产品特性的定义，完全是从客户的应用场景和应用需求出发，其致力于开发世界一流水平的车规级SiC器件，同时提供配套的应用解决方案。
以光伏逆变器为例，市场对碳化硅二极管的抗浪涌电流能力具有极高的要求标准，蓉矽半导体针对这一市场开发的1200V/20A NovuSiC® EJBS™碳化硅二极管可承受288W功率，最大26A电流，拥有11倍以上的抗浪涌电流能力和更优异的鲁棒性，在20A时，VF仅有1.37V，且漏电极低(2μA)。相较国内外竞品，NovuSiC® EJBS™在导通压降、反向漏电及温度稳定性等方面均性能优越，可以真正实现国产化。
蓄力加速跑
加速商业化进程
在全球开启能源转型，我国积极推进“碳达峰、碳中和”的时代背景下，SiC功率器件未来将广泛应用于新能源汽车、充电桩、工业电源、光伏逆变、风力发电、UPS、通信电源等大功率、高频、高效率领域。
高巍博士表示，蓉矽半导体将沿着“一代量产、一代开发、一代前沿”的计划继续加大研发投入，以便满足市场对高性能、高可靠性的新能源汽车及高端工业领域功率半导体器件需求。
校友简介
高巍博士
曾任电子科技大学微电子与固体学院副教授，现任成都蓉矽半导体有限公司研发副总经理
天虎科技丨彭春志
