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21世纪经济报道记者 倪雨晴 深圳报道
在半导体产业低谷期，三星电子也挡不住利润下滑。
1月31日，三星电子的最新财报显示，2022年第四季度营收为70.5万亿韩元，同比下滑8%，营业利润同比下降69%，从13.86万亿韩元降至4.3万亿韩元。
其中，主营芯片业务的事业群（DS）首当其冲，第四季度的营业利润从88300亿韩元直降至2700亿韩元，下滑幅度约97%。三星电子在财报中指出，该事业群营收下降主要由于短期内下游客户存储芯片还在消化库存。而随着需求下滑，存储芯片的价格也进一步下降。
双重压力也让三星电子等存储大厂备受挑战，而芯片产品线占据了三星电子整体利润的半壁江山，这也影响了整年的营业利润。从营收来看，三星电子2022年营收高达302.23万亿韩元，同比增长 8.1%，创历史最高；但是营业利润43.3766万亿韩元，同比下滑15.99%。
展望2023年第一季度，情况并不乐观。三星电子预计，工厂利用率将出现下滑，今年一季度盈利或将下降四分之一。多位分析师向21世纪经济报道记者指出，目前存储芯片价格仍在下滑，高库存压力仍在，2023年需求增长偏弱，预期最快也要到下半年，整体才有望缓和或回调。也有从业者告诉记者，存储产业原本就是周期性产业，低谷之后会回升，服务器、基站等领域有增长机会。
存储大厂面临亏损
存储芯片可以简单地分为闪存和内存，其中闪存主要有NAND Flash、NOR Flash，内存主要为DRAM。
DRAM市场三大原厂霸主是三星、SK海力士和美光，集邦咨询数据显示，2022年第三季度全球DRAM厂自有品牌内存营收排名中，三者一共占据了96%左右的份额；闪存市场上，2022年第三季度NAND Flash厂商营收排行榜上，三星、铠侠、西部数据、海力士、美光五家的市场份额总计超过95%。
不论闪存还是内存，从去年开始，全球存储厂商们都面临价格骤降的寒风。产业本身的周期属性叠加外部环境因素，大厂的业绩都受到冲击。
三星电子外，另一家韩国巨头海力士也经历了业绩下滑。2022年10月，海力士第三季财报显示，其营业利润较2021年同期下滑了60%。根据分析师预测，即将公布财报的SK海力士预计在2023年第四季度亏损约8120亿韩元。
再看美光，2022年9月30日，美光发布了2022财年第四财季财报，该季营收同比下滑约20%至66.4亿美元，为两年多来的首次下滑，低于此前美光公布的财测下限目标，也低于市场预期的66.93亿美元。净利润为14.9亿美元，同比大幅下滑45%，低于市场预期的13.76亿美元。
同时，美光还表示，所有客户都在削减订单，未来的存储芯片需求和公司经营将面临更严重的困难，并宣布公司2023财年的资本支出将削减30%。铠侠此前也发布声明称，位于日本的两座位NAND闪存工厂从2022年10月开始晶圆生产量将减少约30%，以应对市场变化。
可以看到，不少存储厂商在下滑乃至面临亏损的压力下, 正在采取减产、降低开支等方式以降低亏损。
不过，三星电子并未表示要减少投资，还透露了扩大部分产能的规划。三星电子在财报中表示，计划扩大产能储备以满足服务器与PC对DDR5内存的需求，同时积极响应移动端LPDDR5X等产品的需求。
逆周期投资也是韩国厂商的策略之一，但当前残酷的现实是价格还在下探。从2020年开始，由于疫情和供应链的影响，存储市场也掀起了涨价潮，2021年来到景气高点，2022年则急转直下。尤其是去年下半年以来，多家终端厂商就告诉21世纪经济报道记者，PC等消费端产品中存储芯片价格下滑幅度很大，下跌趋势将持续到2023年。
存储芯片价格持续下跌
从需求端看，服务器、PC等领域对存储芯片的渴求开始回落，加上不少企业囤货，业内预计高库存将在今年二季度缓和，不过也有分析指出库存缓解和半导体复苏的时点可能晚于预期，下半年供需平衡仍需要综合的动态观察。
据TrendForce集邦咨询研究显示，由于消费需求疲弱，存储器卖方库存压力持续，仅三星在竞价策略下库存略降。为避免DRAM产品再大幅跌价，诸如美光等多家供应商已开始积极减产，预估2023年第一季DRAM价格跌幅可因此收敛至13%-18%，但仍不见下行周期的终点。其中，PC及Server DRAM跌幅仍是近两成左右；Mobile DRAM在获利空间最为压缩的现况下，是跌幅收敛较明显的品项。
集邦咨询资深研究副总郭祚荣向21世纪经济报道记者表示，全球内存产业在通货膨胀压力与需求持续走弱下，DRAM价格自2022年年初以来就一路走跌，去年第四季度合约价跌幅更超过20％上下，今年上半年跌幅也在10%-20%之间，需求端方面在去年已经偏低之下，笔记本今年衰退仍有5.3%，其他如服务器与智能手机也仅小幅成长，可见需求市场的严峻。
放眼2023年，集邦咨询预估今年内存供给成长率仅来到10.6%，可见原厂对于产出相当谨慎与保守，亦让今年下半年市场有机会呈现跌幅收敛走势。随着新工艺逐步往1anm与1bnm前进，后续颗粒也将从8Gb主流颗粒往16Gb甚至24Gb迈进，届时DDR5将在市场逐步放量；今年价格在总体经济等诸多因素不明朗下，预估2023年也将是极具挑战的一年。
对于闪存市场，集邦咨询分析师林大翔指出，全球闪存市场在经历2022年下半年的持续走跌下，多数供应商已开始着手进行减产，希望遏止供过于求的市况，因此2023年全球NAND Flash供应位元增长下修至20.6%。
他进一步谈到，从各大需求角度观察，由于消费电子受通膨影响，前景仍然黯淡，因此Enterprise SSD将成为最重要的需求增长引擎。2023年闪存价格走势在下半年随库存调整周期告终、NAND价格弹性的驱动下，有望落底甚至小幅反弹。整体而言，NAND Flash历经2022下半年的跌价，促使供应商积极减产，加上相较DRAM具有较高的价格弹性，故预期NAND Flash价格下行周期会较DRAM提前终止。
（作者：倪雨晴 编辑：包芳鸣）