新浪科技讯 9月12日上午消息，2021未来科学大奖新闻发布会今日举行，揭晓2021年生命科学奖、物质科学奖、数学与计算机科学奖获奖名单。
其中施敏获得2021未来科学大奖生命科学奖。获奖理由：表彰他对金属与半导体间载流子互传的理论认知做出的贡献，促成了过去50年中按“摩尔定律”速率建造的各代集成电路中如何形成欧姆和肖特基接触的关键技术。
施敏教授对跨金属/半导体（金/半）载流子的传输理论和实践，做出了基础性和开创性的贡献。他对于大范围掺杂（1014-1020/cm3）和工作温度 （硅： 77K-373K；砷化镓：50K-500K）的金/半接触特性，通过跨金/半界面势垒的量子隧道穿越、热电子发射、镜像力降低、和二维统计杂质变化的共同效应都做出了分析和实验。这些对硅和砷化镓半导体的前沿贡献， 不仅奠定了欧姆和肖特基（欧/肖）接触的科学理论基础，并且开启了制造近代半导体器件的可扩展途径。在接下来的50年中，它们被广泛的用于计算、通信、传感、控制、成像和记忆之芯片电路的制造，对人类生活和文明有巨大贡献。
施敏教授出生于南京市，在台湾长大。1957年毕业于国立台湾大学电机系，1960年在华盛顿大学获电机工程硕士，1963年在斯坦福大学获电机工程博士。他于1967年在美国与姜大元博士共同发现浮栅存储（FGM）效应，是广泛应用的快闪存储器之核心发明。这里所奖励的科学工作是他1968-1969年在新竹国立交通大学（今国立阳明交通大学） 期间完成的。
他还撰写了具有传奇色彩的研究专著《半导体器件物理学》。这是一本全球半导体和集成电路研究人员“必学”之书，一直被研究生院教师/学生以及整个电子和光子行业的工程师使用和引用。
在进行现场连线时，施敏表示，自己1963年从事半导体教学和科研工作，至今已近60年。感谢奖项委员会对自己在半导体工作上的认可。
他表示，当前社会面临很多困难，比如环境污染、能源短缺、病毒肆虐等，都需要用科学的方法解决。他希望更多年轻人从事科学研究，因为20几-30几岁是最有创新精神的时期，为人类带来更多福祉。
