IT之家9月12日消息,据台媒《经济日报》报道,晶圆代工厂台积电2nm制程将于2025年量产,市场看好进度可望领先对手三星及英特尔。
台积电先进制程进展顺利,3nm将在今年下半年量产,升级版3nm(N3E)制程将于3nm量产一年后量产,即2023年量产,2nm预计于2025年量产。
台积电2nm厂将落地竹科宝山二期扩建计划,“竹科管理局”已展开公共设施建设,台积电2nm厂也开始进行整地作业。
台积电2nm首次采用纳米片架构,相较N3E制程,在相同功耗下频率可提升10%至15%。在相同频率下,功耗降低25%至30%。
台积电总裁魏哲家日前在技术论坛中强调,台积电2nm将会是密度最优、效能最好的技术。市场也看好,台积电2nm进度将领先对手三星及英特尔。
IT之家了解到,此前消息称,虽然在3nm世代略有保守,但无论如何,鳍片(Fin)宽度都已经接近实际极限,再向下就会遇到瓶颈,所以外资法人预估台积电2nm先进制程将采用环绕式闸极场效电晶体GAAFET高端架构生产2nm芯片。