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来源：DeepTech深科技
半导体材料法商Soitec宣布，位于新加坡巴西立晶圆工业园区（Pasir Ris Wafer Fab Park）的晶圆厂扩建项目正式动土，扩建工厂将专用于生产300mm SOI晶圆，用于智能手机芯片，特别是5G通信、汽车和智能设备，预计2024年扩建完成后，Soitec新加坡工厂可实现年产能翻番，300mm SOI晶圆将达到约200万片/年。
扩建新加坡巴西立工厂是Soitec法国投资计划的补充举措，同时也是Soitec战略的一环，即在2026财年前助力其全球年产能提升至约450万片/年，以满足日益增长的市场需求。
2024年扩建工程完成后，洁净室和办公空间的占地面积将增加45,000平方米，助力Soitec新加坡工厂300mm SOI晶圆将达到约200万片/年。届时在巴西立的员工数量将达到逾600人。同时，为提升其在新加坡的技术影响力，Soitec已启动运营新加坡技术中心的表征实验室。
Soitec提升的产能涵盖各种专用节能晶圆，这些晶圆使用不同的材料制成（如SOI、GaN、POI和SiC），并服务于不同的市场。Soitec在新加坡和法国的投资是其五年战略的规划内容，该战略公布于2021年6月，包括11亿欧元的资本支出计划。
Soitec首席执行官庞楠柏（Pierre Barnabé）表示：“此次新加坡工厂扩建项目动土，标志着我们全球发展的另一个重要里程碑，法国和新加坡的生产基地也在进行扩建，这将进一步提升我们的全球影响力，汇聚人才，驱动价值实现，并通过提高电子产品能效为节能作出更多贡献。新加坡工厂扩建是提升法国总部产能的完美补充。目前，贝宁4厂（Bernin 4）的建设也在顺利进行当中。”
此外，Soitec在12月也宣布与意法半导体与法国Soitec半导体宣布，双方在碳化硅衬底领域的合作迈入新阶段，意法半导体将在未来18个月内对Soitec的碳化硅衬底技术进行验证，在未来的200mm衬底制造中采用Soitec的SmartSiC技术，助力器件和模块制造业务的发展，并有望在中期实现量产。
碳化硅是一种颠覆性的化合物半导体材料，拥有优于传统硅的特性，面向电动汽车和工业流程等领域的关键、高增长的功率应用，能够提供卓越的性能和能效，可以实现更高效的电能转换、更轻量紧凑的设计，并节约整体系统设计成本。
从150mm晶圆发展到200mm晶圆，用于制造集成电路的可用面积几乎翻倍，而每片晶圆可提供比原先多1.8至1.9倍数量的有效芯片，这将促使产能得到大幅提升。
SmartSiC是Soitec的专利技术。通过使用Soitec专利的SmartCut技术，可以剥离出高质量的碳化硅供体晶圆薄层，并将其键合到低电阻率的多晶硅操作晶圆上，助力改进器件的性能和生产良率。此外，优质的碳化硅供体晶圆可被多次重复利用，进而大幅降低生产的总能耗。
