运营商财经 康钊/文
4月15日消息，根据外媒报道，俄罗斯已经制定了新的半导体产业发展计划的初步版本，到 2030 年需要投资约 3.19 万亿卢布（约384.3 亿美元）。问题是进度太慢，目标是到 2030 年建立使用 28nm 节点的制造，比中国起码都还要落后十几年，而且俄罗斯能否实现目标都还是个问题。
这都是美国给害的。今年3月底，美国财 政部宣布对俄罗斯21家实体企业和13个个人实施制裁，其中包括俄罗斯最大的芯片制造商、微电子制造商和出口商Mikron。还包括总部位于莫斯科的Serniya Engineering和设备制造商Sertal，美国财 政部指控这两家公司为俄罗斯国防部门非法采购可用于民用的设备和技术。所以，俄罗斯下定决心，重建本国的半导体产业。
俄罗斯历史上半导体产业落后程度也惊人。俄罗斯缺乏自主芯片，90%的芯片都是来自于国外，而国内最大的芯片商也只有65nm芯片的制造水平，如果单靠国内的芯片供应，那将很难满足需求。
但为何半导体产业如此落后，俄罗斯却还能制造很多高端武器呢？这是因为早在前苏联时代，考虑到核打击的威胁，在晶体管和电子管两个技术路线之间，前苏联优先选择了抗辐射能力更强的电子管技术。电子管的小型化的确存在先天限制，但那个时候也的确没人想到，晶体管的小型化竟然能够发展到纳米级。
俄罗斯此次下定决心追赶半导体产业，但问题是追赶的难度有多大。据悉，俄罗斯短期目标之一是在年底前使用 90nm 制造技术提高本地芯片产量。一个更长期的目标是到 2030 年建立使用 28nm 节点的制造。
而台积电早在2011年就能生产28纳米的芯片，中芯国际际28纳米技术于2013年第四季度推出，近年来已成功进入多项目晶圆（MPW）和量产阶段，可依照客户需求提供HKMG制程服务。
俄罗斯比中芯国际起码落后十几年，比台积电更是落后二十几年，在美国封杀产业链的情况下，能否生产出90纳米的芯片都是个问题。
