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三星日前宣布，已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb（太字节）三比特单元（TLC）第 8 代 VNAND。1Tb的全新VNAND在目前三星VNAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。
三星闪存产品与技术执行副总裁SungHoi Hu表示：“市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动了VNAND层数的增加，三星采用3D缩放技术，减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。我们的第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求，更好地提供差异化产品和解决方案，有望成为未来存储创新的基础。”
通过这项技术，三星显著提升了每片晶圆的存储密度，使三星的存储密度达到了新的高度。基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口的三星第8代V-NAND，其输入和输出速度高达2.4Gbps，相比上一代提升了1.2倍，这可以满足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。
三星第8代V- NAND有望成为存储配置的基石，帮助扩展下一代企业服务器的存储容量，同时其应用范围还将拓展至可靠性尤为重要的车载市场。
