TrendForce 集邦咨询指出，受到车用、工业与通讯需求助力，2021 年第三代半导体成长动能有望高速回升。其中又以 GaN 功率器件的成长力道最为明显，预估其今年市场规模将达 6,100 万美元，年增率高达 90.6%。
TrendForce 进一步指出，首先，预期疫苗问世后疫情有所趋缓，进而带动工业能源转换所需零组件如逆变器、变频器等，以及通讯基站需求回稳；其次，随着特斯拉 Model 3 电动车逆变器逐渐改采 SiC 器件制程后，第三代半导体于车用市场逐渐备受重视；最后，中国政府为提升半导体自主化，今年提出十四五计划投入巨额资金扩大产能，上述都将成为推升 2021 年 GaN 及 SiC 等第三代半导体高速成长的动能。
据 TrendForce 调查，GaN 器件目前虽有部分晶圆制造代工厂如台积电、世界先进等尝试导入 8 英寸晶圆生产，但现行主力仍以 6 英寸为主。因疫情趋缓所带动 5G 基站射频前端、手机充电器及车用能源传输等需求逐步提升，预期 2021 年通讯及功率器件营收分别为 6.8 亿和 6,100 万美元，年增 30.8% 及 90.6%。
TrendForce 预期，GaN 器件会持续渗透至手机与笔记本配件，且年增率将在 2022 年达到最高峰，后续随着厂商采用逐渐普及，成长动能将略为趋缓。
SiC 器件部分，由于通讯及功率领域皆需使用该衬底，因而 6 英寸晶圆的供应量显得吃紧，预估 2021 年 SiC 器件于功率领域营收可达 6.8 亿美元，年增 32%。目前各大衬底商如科锐（CREE）、贰陆（II-VI）、意法半导体等已陆续开展 8 英寸衬底研制计划，但仍有待 2022 年后才有望逐渐纾缓供给困境。
