日本冲刺半导体先进制程，传找台积电合作。日经新闻报导，日本正研拟产、官、学界携手开发新一代半导体技术的计划，由官方出资420亿日圆，结合佳能等日商开发2纳米以下制程技术，并打算和台积电建立合作体系。
台积电已核准于日本投资设立100%持股子公司，实收资本额不超过186亿日圆，用于扩展台积电3D IC材料研究。日经新闻报导的消息传出后，市场关注台积电日本布局，是否会从材料研究延伸至先进制程研发。对此，台积电昨（23）日回应，“目前日本项目按照计划进行中”。
日本企业登记资讯显示，台积电在日本的办公据点多在横滨，除了神奈川县西区横滨市设有一个子公司之外，另有台积电日本设计技术公司也位于横滨市同样区位。此外，台积电已于3月17日完成设立登记台积电日本3D IC研发中心，地点就在台积电日本设计技术公司同一栋楼。
台积电在日本开出职缺所在地仍以横滨为主。近期在台积电日本设计中心的海外招募计划也是派驻横滨，主要找芯片物理设计工程师与记忆体设计工程师等，协助客户内部芯片测试与开发。
日经新闻昨报导，日本经济产业省将投资约420亿日圆，支持佳能等三家日本企业开发下一代半导体，这些企业也将与台积电等外国业者建构合作体制，目标是在2020年代中期确立2纳米以下制程的技术，借由开发先进半导体技术重振芯片业，未来也将设立实验用产线，开发精密制程的加工与洗净相关技术。
报导指出，日本佳能、东京威力科创（Tokyo Electron）以及 Screen半导体解决方案公司，将与日本产业技术总合研究所携手合作，而这些公司也将与台积电及美国英特尔等半导体制造商，广泛地交换意见。
另一方面，随着5G技术的普及将持续提高效能半导体的需求，加上日前瑞萨电子（Renesas）工厂火警加剧车用芯片短缺困境，日本经产省也计划设立一个研究小组，以评估加强支持半导体供应网和先进半导体的政策战略。
