原标题：台积电披露3nm功耗与性能增益 2nm设计将更具潜力 来源：cnBeta.COM
作为业内领先的半导体制造商，台积电（TSMC）刚刚分享了有关新一代制程节点的更多细节。在今天早些时候的 2021 线上技术研讨会期间，台积电研发高级副总裁米玉杰（Y.J. Mii）博士陆续介绍了 N6、N5、N4 和 N3 工艺节点的最新规划。除了晶圆工艺的密度，我们还得知了有关不同制造节点的产能和推出时间表。
资料图（来自：TSMC）首先，米玉杰强调了台积电在 2020 年大幅增加了研发支出和员工人数，并达到了创纪录的新水平。且自 2017 年首推 7nm 工艺以来，相关芯片的出货量已经超过了 10 亿颗。
事实证明，7nm 节点对 AMD 有着至关重要的影响，后者的 CPU 和 GPU 都属于率先采用 N7 工艺的产品之一，并助其与竞争对手英特尔展开了激烈的市场交锋。
至于 N3 工艺节点，台积电宣称与 N5 一代相比，3nm 将带来性能和功耗上的更佳表现。目前该公司已经开启了 5nm 芯片的量产，紧随其后的还有 N4 。
米玉杰表示，N4 工艺将继续把芯片尺寸收缩 6%，同时带来功耗和性能上的进一步改善。比如与 FinFET 晶体管（下图红线）相比，Nanosheet（下图蓝线）能够实现更严格的阈值电压（Vt）控制。
据悉，Vt 特指半导体电路工作所需的最小电压，即使是最轻微的变化，也会对芯片的设计造成束缚、并导致性能的下降。庆幸的是，台积电设法取得了 15% 的领先优势。
虽然没有明确地将这方面的研发进展与 2nm 工艺联系起来，但我们还是对台积电后续的工艺发展充满了期待。
