原标题：英特尔：提升制程工艺的最好办法 就是改名字
芯片制造商所标注的芯片制程数字，可能并不代表真实的制程工艺迭代，它可能只是一种产品命名策略。在购买新款电脑或新款智能手机时，我们一般都会了解产品的硬件配置，其中处理器是关注的重点，而我们对处理器更新换代的基本判断，除了芯片设计厂商的产品体系命名外，芯片制程工艺也是一项基本的判断标准。
芯片设计厂商为了让用户知道自己推出的是新产品，通常的做法是采用新的产品命名方式，以高通为例，旗舰级的骁龙 855、骁龙 865 和骁龙 888，中高端的骁龙 765G 和骁龙 778G，首字母 8 和 7 代表产品定位，后面两位数字的递进代表新款或改进款。让用户第一时间感知到产品的变化，从而促进新品销量。
在芯片制程方面也是类似的情况，每一代芯片制程工艺的突破，一般会直接以制程工艺节点进行命名，也方便用户直接判断芯片制程情况。而不同厂商间的制程工艺命名方式可能并不一样，即使是制程工艺命名一样，芯片晶体管数也可能并不相近。
最近，英特尔公布最新的制程工艺路线图，使用新的制程节点命名体系，抛弃原来的制程节点命名方式，之前的 10nm Enhanced SuperFin 工艺改称 Intel 7，原来的 7 纳米工艺改成 Intel 4，之后的 Intel 3 大幅度改进功率和面积，2024 年的 Intel 20A 应用 RibbonFET 晶体管架构，开启半导体的埃米时代（需要注意，埃米的符号为 Å，而不是 Intel 20A 所用的英文字母 A，1 纳米等于 10 埃米）。
从某种程度上理解，英特尔此次新制程命名体系，算是跟上了台积电和三星的步伐，那英特尔制程改名是何用意？在相同的命名方式下，英特尔、台积电和三星间的芯片制程水平又有何差异？
英特尔芯片制程改名原由
英特尔的新制程命名很有意思，并没有直接在产品名字后面标注制程单位，而是直接以数字结尾，很容易让人产生联想，直接将 Intel 7 联想成英特尔的 7 纳米工艺。
英特尔的做法很巧妙，以 Intel 7 为例，并不直接挑明它是哪一代制程工艺，Intel 7 可看成一项技术节点的代号，基于 FinFET 晶体管优化，相较于 10 纳米 SuperFin 工艺每瓦性能提升 10%-15%。这么做一方面容易让普通消费者产生联想，有利于产品宣传，另一方面是有意引导关注半导体行业的人群，让他们不再只是关注所谓“制程数字的提升”，转向关注芯片的性能和技术领域，有意弱化纳米单位标识。
英特尔之所以这么做，是不想再像之前一样，因为制程命名方式给消费者带来一种“低人一等”的产品印象，不利于产品宣传。英特尔 CEO 帕特・基辛格表示：“英特尔的最新命名体系，是基于我们客户看重的关键技术参数提出的，即性能、功耗和面积”，这段话强调了技术参数指标，但“客户看重”几个字也表明英特尔的客户同样不希望在芯片制程命名方面吃亏，另外英特尔自己又不想和三星、台积电一样直接以纳米单位来命名，故而弄出了 Intel 7 这样的特殊命名方式。
熟悉英特尔制程的朋友会知道，相对于其它芯片制造商，英特尔在制程工艺命名上相对“严谨”一些，哪怕是在 14 纳米节点上磕了好几代，宁可用 14nm++ 这样的方式命名，也不会轻易更改制程数字。估计英特尔是在产品宣传上吃亏吃怕了，换了个思路对抗三星和台积电，这里也有必要提一提芯片制程里的数字游戏。
芯片制程的数字游戏
按照摩尔定律的说法，集成电路上可容纳晶体管的数量大约每隔 18 个月便会增加一倍。换而言之，伴随着制程工艺的进步，芯片每单位能容纳的晶体管数量会越来越多，使芯片性能越强的同时功耗也越低。随着制程工艺的不断推进，越往下推越艰难，所需要的时间也越来越久，为了产品宣传和市场拓展，芯片制造商所标注的芯片制程名称可能只是一个数字，并不完全代表真实的芯片制造工艺水平。
时任高通公司首席技术官 Matt Grob 表示：“苹果 A10 处理器所用的 16 纳米工艺，是台积电量产的最尖端工艺（当时），仅相当于英特尔的 20 纳米工艺”。英特尔也曾经就表示过，自己的 14 纳米可以对标台积电的 10 纳米工艺。在 20 纳米制程工艺之后，芯片制造商开始对制程工艺数字进行不同程度的“美化”，更先进的制程数字不一定代表更高的性能，同一制程数字的不同芯片，在内在指标上也可以差异明显。
为了更好的对比不同厂商间的芯片制程工艺，我们可以抛开表面的芯片命名方式，用芯片晶体管密度数据来一探究竟。
从 TechCenturio 整理的行业数据能够看出，同样是在 14 纳米制程节点，英特尔的晶体管密度为 43.5，而三星为 32.5，英特尔和三星都宣称自己是 14 纳米工艺，但在晶体管密度上二者差异明显。
在 10 纳米上，英特尔的晶体管密度达到 100.8（即每平方毫米 1.008 亿晶体管），远远超越台积电和三星的晶体管密度。台积电在推出 7 纳米工艺时（晶体管密度 96.5）才接近英特尔 10 纳米的晶体管密度，之后台积电在 7 纳米改进版（7nm+）工艺上引入 EUV 光刻机，凭借 115.8 的晶体管密度实现对英特尔 10 纳米的最终反超。
“美化”过后的制程工艺数字，我们很难仅凭表面的制程工艺数字来判定它们的真实水平，若将它们放回自己的产品发展体系中进行纵向对比，如台积电 16 纳米、10 纳米和 7 纳米工艺，的确又能看到制程迭代的进步，只不过拿其它厂商的制程工艺进行横向比较时，才能发现其中的端倪。
芯片制造商们之所以一个接一个的玩“数字游戏”，主要是希望在制程工艺命名上跟上友商，在产品宣发和销售时不至于陷入被动的局面，让采购芯片的厂商更好的宣传，让消费者体验到芯片制程换新的感觉。
厂商们的这一招不可谓不高，对于换新速度越来越快的智能手机来说，如何让消费者感受到这是一款新产品显得十分重要。英特尔未来还要给高通代工芯片，现在先期布局制程工艺命名方式，培育消费者的认知理念，既有利于后期为代工高通，也有利于自己的产品宣发。
结语
高端芯片制造是当前准入门槛最高的行业之一，目前能够达到 10 纳米技术水平的厂商并不多，仅有英特尔、台积电和三星，许多原来的芯片制造商，有的卡在某个技术节点上无法突破而选择放弃，有的专注于自己的领域没有继续突破，而有的因为一些不稳定因素没办法获取关键资源或配件，还在积极寻找突破的方法。
回到问题的核心，我们真的都喜欢“美化”的芯片制程数字吗？作为普通消费者，我们的确希望看到更多新东西，但当我们拿到具体的产品时，可能伴随着希望的破灭，应用上新制程工艺后的芯片，最终没有发挥出我们所期待的水平，这些就是“美化”过后的现实。对于整个芯片制造行业而言，过度的芯片命名游戏，不利于厂商间的良性竞争，最终受害的是芯片制造商、芯片采购商和广大消费者。
此次英特尔采用的新制程节点命名方式，或许是不得已而为之的做法，既然原有的芯片制程命名方式影响到自己的发展，行业内的主要玩家又都采取了类似策略，自己只能在保持一定限度的情况下加入他们。
