财联社6月15日讯(编辑 史正丞)日本重回半导体行业巅峰的梦想又有了最新的进展。根据《日本经济新闻》报道,在日美合作机制框架下,日本本土的2纳米芯片工厂最快将在2025财年投产,商业化速度与业界领先的台积电、三星、英特尔处于同一水平。
据悉,在两国政府的多项双边机制推动下,日本和美国的私营企业可能会组建合资公司,此外日本的本土半导体产业也可能设立一个新的制造业中心,这部分的研发和资本支出也能获得日本经济产业省真金白银的补贴。
追赶业界最快速度
一般而言,更小的制程能够在更小的能耗下提供更强的性能,2纳米芯片被视为推出下一代量子电脑、数据中心和智能手机的关键一环。
目前台积电的2nm晶圆厂预期在今年三季度开工建设,并于2024年底投产。换帅后奋起直追的英特尔在今年四月宣布公司的18A制程(1.8纳米)将提前至2024年底投产。三星此前曾表示2025年实现量产2nm制程。
虽然日本企业在半导体材料领域具有重要地位,但优势集中在与液体(流体)有关的化学材料和设备上。虽然本土也有瑞萨电子这样的汽车半导体大厂,但主要产能局限在40纳米,更先进的制程则需要交给台积电生产。
虽然台积电和索尼已经宣布在日本熊本县合作建立“日积电”,不过这座新工厂的工艺制程局限在10-20纳米。虽然能够补上“关键芯片本土生产”的空缺,但有“一步到位”的机会日本显然不会错过。
屡次表达“抱大腿”意愿
根据报道,日美双方的联合研发将在今年夏天开始,研发和生产中心可能会在2025至2027财年中落成。今年五月,日美两国政府已经签订了半导体合作的基本框架,后续的细节将会在即将举行的“2+2”经济官员会谈中继续讨论。
在日本内阁上周批准的“新资本主义”日程表中,也提到在2030年前通过与美国的双边合作,建立设计和制造基地。
日本产业技术综合研究所已经在日本筑波市的实验室组织行业合作,研发先进半导体生产所需的技术,其中也包括2纳米制程,东京电子、佳能、IBM、英特尔和台积电都有参与。