原标题：兆易创新首款DRAM芯片量产，切入主流存储器市场
图片来源：Unsplash记者 | 彭新
6月3日，国产存储器厂商兆易创新宣布首款自有品牌4Gb DDR4产品GDQ2BFAA系列已正式量产，实现了从设计、流片到封测、验证流程的国产化。
兆易创新的首款DRAM芯片为一个4Gb DDR4产品系列，读写速率为2666Mbps，最高可达2933Mbps，符合JEDEC固态技术协会标准，新产品将面向机顶盒、电视、监控、平板电脑、车载影音系统等领域。兆易创新副总裁、DRAM事业部总经理胡洪称，未来将推出包括DDR3、DDR4等接口的不同容量的系列DRAM产品。
目前来看，兆易创新已成为国内第二家在DRAM内存芯片领域实现全流程国产化的厂商，具备自主研发并制造DRAM的能力。
DRAM即动态随机存储器，为两种主要存储器之一，用于缓存。近年来，中国芯片企业在DRAM和NAND领域寻求突破，包括长鑫存储、兆易创新、长江存储等公司向存储器投入资源，其中兆易创新和其参与筹建的长鑫存储是国内DRAM领域的主要试水者。
兆易创新现有产品主要分为存储器产品（NOR Flash、NAND Flash和DRAM）、微控制器产品（MCU）以及传感器产品。用于手机、平板电脑等手持移动终端、消费类电子产品、物联网终端，以及工业、汽车、通信设备等。据财报，2020年兆易创新收入为44.97亿元，同比增长40%，其中超过七成收入来自存储芯片。
兆易创新进军DRAM已有前期铺垫，2020年6月，兆易创新完成DRAM芯片自主研发及产业化项目及补充流动资金之非公开发行股票事项，共募集资金43.24亿元，着手研发1Xnm级（19nm、17nm）工艺制程下的DRAM技术，设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。
实际上，本次兆易创新实现量产DRAM芯片，就是由长鑫存储代工。此前，兆易创新已经从长鑫存储采购产品。根据兆易创新于2020年11月发布的公告，过去12个月内，公司从长鑫存储采购DRAM产品约1.80亿元，双方产品联合开发平台合作约1966万元。
2020年5月，搭载长鑫DDR4颗粒的内存条正式上市，标志中国首款自主研发的DRAM芯片终于投入市场。随后长鑫存储的DDR4颗粒就在产能爬坡阶段，兆易创新也同时销售合肥长鑫的DRAM产品。
此前，兆易创新副总经理、董事会秘书李红在2020年业绩会上表示，今年开始贡献营收。对于DRAM研发的进展，李红表示，2021年上半年推出首颗19nm的DDR4产品，17nm的DDR3计划会晚一些推出，后续仍然按照既定规划投入新产品研发，持续推出新产品。
作为数据载体，存储芯片是半导体中市场规模排名居首的子赛道，占比接近1/3。2021年1月，IC Insights发布了2021年版的《麦克林报告》（The McClean Report），对今年半导体行业细分产品的销售增长率预测做了排名预测，排名居首的就是存储芯片。DRAM和NAND将成为2021年增长居前的两个产品，预计销售额分别增长18%和17%。
但内存芯片市场一直被三星、海力士、美光三家海外芯片原厂把控，根据市调机构 Omdia的数据，三星是2020年DRAM市场的最大制造商，市占率为41.7％。SK海力士（29.4％）和美光（23.5％）紧随其后。
