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致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股近日宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NXH010P120MNF1 SiC模块和NCP51561隔离式双通道栅极驱动器的5KW工业电源方案。
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图示1-大联大世平基于onsemiSiC模块的5KW工业电源方案的展示板图工业用电在全社会电力消耗中占有很大比重，因此在节能减排的大背景下，提升工业电源的转换效率、降低能源消耗是非常有必要的。而由于工业应用一般都具有较高的耗能需求，因此大都采用交流380V或交流480V的电源供电。在如此高压的环境下，功率器件选择有限，以往主要是以IGBT为主。但持续的高频、高温和大电流等工作条件，会使IGBT温度升高，影响转换效率。针对这个问题，大联大世平基于onsemi NXH010P120MNF1 SiC模块和NCP51561隔离式双通道栅极驱动器推出了5KW工业电源方案可以有效提高电源转换效率、降低能耗。
图示2-大联大世平基于onsemi SiC模块的5KW工业电源方案的场景应用图NXH010P120MNF1是一种SiCMOSFET功率器件整合模块，其包含一个半桥架构电路，该电路由两颗带反向二极管的10mR、1200V SiCMOSFET组成，并内置了一个负温系数（NTC）热敏电阻有助于温度监测。在模块中设有导热界面材料（Thermal Interface Material，TIM）或无TIM选项，可在更高电压环境下改善RDS(ON)，提高效率或提高功率密度。
NCP51561是隔离式双通道栅极驱动器，具有4.5A峰值拉电流和9A峰值灌电流，其被设计用于快速切换以驱动功率MOSFET和SiCMOSFET电源开关。NCP51561提供较短且匹配的传播延迟，两个独立的5KVrms（UL1577等级）电隔离栅极驱动器通道可用于任何配置中，如两个低边、两个高边开关或具有可编程死区时间的半桥驱动器。并提供其他重要的保护功能，例如用于栅极驱动器和使能功能的独立欠压锁定。
图示3-大联大世平基于onsemi SiC模块的5KW工业电源方案的方块图得益于onsemi SiC模块和栅极驱动器的完美配合，本方案可提供出色的开关性能和增强的散热性能，并且能够在实现更高能效和功率密度的同时，降低系统体积和重量。
核心技术优势：
● SiCMOSFET相对于IGBT技术优势：
■ 更低的开关损耗：基于材料特性具备较低反向恢复时间，可快速关断SiCMOSFET的导通电流，且由于低栅极启动电荷和低反向恢复时间，所以能快速开启SiCMOSFET。
■ 更低的传导损耗：基于低导通电压可改善IGBT导通前的状态，配合较低的内阻温度漂移系数可在较高的功率或温度环境下工作，不会因太大的内阻变化而造成过多功率损耗。
● SiC MOSFET相对于MOSFET技术优势：
■ 10倍介电击穿场强度；
■ 2倍电子饱和/移动速度；
■ 3倍能隙；
■ 3倍热传导率。
方案规格：
● 适用交流480V以下电源系统；
● 高度整合的功率驱动模块；
● 2个半桥隔离式栅极驱动器Source 4.5A/Sink 9A，具有5KV绝缘；
● 半桥隔离栅极驱动器内置欠压保护功能；
● 半桥隔离栅极驱动器共模抗噪能力>200 V/ns；
● 半桥隔离栅极驱动器可设置死区时间；
● 模组单体内建过温监测功能；
● 实际电气驱动功能及规格需搭配外置的微处理器，配合所需功能的电路来决定最终功能。
